IPD2工艺技术结合HighQ性能的安森美半导体推出
使用于绿色电子产品的首要高功能、高能效硅方案供给商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司加强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，加强了电理性能，进步了灵敏性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频(RF)零碎级封装使用。HighQ™ IPD2工艺是安森美半导体定制代工部众多创新制造效劳之一，采用先进的8英寸晶圆技术，典型设计包括均衡/不均衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器，用于最新便携和无线使用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要劣势，如降低本钱、减小厚度、小占位面积，以及更高功能(同等于延伸电池运用工夫)。
安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功用设计工具和设计援助，以及疾速的原型制造才能，协助潜在用户疾速和高性价比地评价，不论他们复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案，还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD能否合适转换至IPD2工艺。
安森美半导体定制代工部初级总监Rick Whitcomb说：“在高性价比、小尺寸和低拔出损耗的平台上集成无源器件，能为电池供电便携电子产品设计人员提供极有用的方案。我们以全套设计工具和技术配合这新工艺，可以协助客户以最短的工夫和最大的决心，从功效绝对较低的技术转换至我们的IPD2工艺。”
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