半导体二极管的伏安特性

_only

二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常用伏安特性曲线来描述二极管的单向导电性。


正向特性（外加正向电压）
正向特性即二极管正向偏置时的电压与电流的关系。二极管两端加正向电压较小时，正向电压产生的外 电场不足以使多子形成扩散运动，这时的二极管实际上还没有很好地导通，通常称为“死区”，二极管相当于一个极大的电阻，正向电流很小。
当正向电压超过一定值后，内电场被大大削弱，多子在外电场的作用下形成扩散运动，这时，正向电流随正向电压的增大迅速增大，二极管导通。该电压称为门槛电压（也称阈值电压），用Vth表示。在室温下，硅管的Vth约为0.5V，锗管的Vth约为0.1V。
二极管一旦导通后，随着正向电压的微小增加，正向电流会有极大的增加，此时二极管呈现的电阻很小，可认为二极管具有恒压特性。二极管的正向压降硅管约为0.6～0.8V（通常取0.7V），锗管约为0.2~0.3V(通常取0.2V)。 ·

反向特性（外加反向电压）
反向特性即二极管反向偏置时的电压与电流的关系。反向电压加强了内电场对多子扩散的阻碍，多子几乎不能形成电流，但是少子在电场的作用下漂移，形成很小的漂移电流，且与反向电压的大小基本无关。此时的反向电流称为反向饱和电流尽，二极管呈现很高的反向电阻，处于截止状态。

反向击穿特性
反向电压增加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为二极管的反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用%R表示。实际应用中，应该对反向击穿后的电流加以限制，以免损坏二极管。